ZXMC4559DN8TC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.6 A, 2.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

55 mOhms, 125 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

20.4 nC, 12.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

ZXMC4

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

10.2 S, 7.2 S

Күз уақыты:

10.6 ns, 10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.1 ns, 4.1 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26.2 ns, 35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.5 ns, 3.5 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMC4559DN8, ZXMC4559D, ZXMC45, ZXMC4, ZXMC, ZXM