IPD26N06S2L35ATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

27 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

24 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

68 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

XPD26N06

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

11 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPD26N06S2L-35 IPD26N06S2L35XT SP000252165

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

IPD26N06S2L3, IPD26N, IPD26, IPD2, IPD