BLV10

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Advanced Semiconductor, Inc.

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық қуат

Технология:

Си

Транзистордың полярлығы:

NPN

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

10

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

18 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

4 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

1.5 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SOT-123

Қаптама:

Науа

Жұмыс жиілігі:

175 MHz

Түрі:

РЖ биполярлық қуаты

Бренд:

Advanced Semiconductor, Inc.

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

950 MHz

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

4 A

Pd - қуаттың шығыны:

20 W

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

BLV10, BLV1, BLV