TSM120N06LCP RLG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

70 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

37 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

125 W, 2.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

40 S

Күз уақыты:

6.6 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13.4 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.4 ns

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

TSM120N0, TSM120N, TSM120, TSM12, TSM1, TSM