TPW4R50ANH,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DSOP Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

92 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

58 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

142 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.73 mm

Ұзындығы:

5 mm

Серия:

TPW4R50ANH

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9.6 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

52 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.003457 oz

Tags

TPW4R50A, TPW4R5, TPW4R, TPW4, TPW