SCT20N120H

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

SiC

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

HiP247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

239 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 10 V, 25 V

Qg - қақпа заряды:

45 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Pd - қуаттың шығыны:

175 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

17 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Tags

SCT20N, SCT20, SCT2, SCT