OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SI1401EDH-T1-GE3

SI1401EDH-T1-GE3
Mfr. #:
SI1401EDH-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET -12V Vds 10V Vgs SC70-6
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI1401EDH-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI1401EDH-T1-GE3 DatasheetSI1401EDH-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI1401EDH-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)SI1401EDH-T1-GE3 Datasheet (P10-P12)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI1401EDH-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
SOT-363-6
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
P-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
12 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
4 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
28 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
1 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
10 V
Qg - қақпа заряды:
36 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
2.8 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SI1
Транзистор түрі:
1 P-Channel
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Форвард өткізгіштік - Мин:
16 S
Күз уақыты:
985 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
420 ns
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
1325 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
160 ns
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SI1401EDH-GE3
Бірлік салмағы:
0.000265 oz
Tags
SI1401E, SI1401, SI140, SI14, SI1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single P-Channel 12 V 34 mOhm 36 nC Surface Mount Mosfet - SOT-363 (SC-70)
***ical
Trans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
***nell
MOSFET, P CH, -12V, -4A, SOT-363; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.5V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
TrenchFET® P-Channel MOSFETs
Vishay Siliconix TrenchFET® P-Channel MOSFETs feature the newest generation of P-channel silicon technology. This enables these devices to provide industry-best on-resistance specifications like 1.9 milliohms in the PowerPAK® SO-8. The P-channel MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. These MOSFETs are available in two variants that employ either Generation III or Generation IV technology. The Gen-IV P-channel MOSFETs offer low on-resistance and come in a thermally enhanced compact package.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # V72:2272_07433774		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
RoHS: Compliant		122
  • 100:$0.2233
  • 25:$0.2693
  • 10:$0.2993
  • 1:$0.4084
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # SI1401EDH-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		164In Stock
  • 1000:$0.1734
  • 500:$0.2243
  • 100:$0.3059
  • 10:$0.4080
  • 1:$0.4800
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # SI1401EDH-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		164In Stock
  • 1000:$0.1734
  • 500:$0.2243
  • 100:$0.3059
  • 10:$0.4080
  • 1:$0.4800
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # SI1401EDH-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.1535
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # C1S803603683595		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
RoHS: Compliant		122
  • 100:$0.2233
  • 25:$0.2693
  • 10:$0.2993
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 25778419		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
RoHS: Compliant		122
  • 100:$0.2233
  • 51:$0.2693
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # SI1401EDH-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1401EDH-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 3000:€0.3089
  • 6000:€0.2109
  • 12000:€0.1809
  • 18000:€0.1669
  • 30000:€0.1559
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # SI1401EDH-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SI1401EDH-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.1309
  • 6000:$0.1269
  • 12000:$0.1209
  • 18000:$0.1179
  • 30000:$0.1149
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 97W2622		Vishay IntertechnologiesMOSFET Transistor, P Channel, -4 A, -12 V, 0.072 ohm, -1.5 V, 400 mV , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.4300
  • 10:$0.3250
  • 25:$0.2970
  • 50:$0.2700
  • 100:$0.2420
  • 500:$0.1990
  • 1000:$0.1540
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 86R3831		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6, FULL REEL,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-4A,Drain Source Voltage Vds:-12V,On Resistance Rds(on):0.072ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.5V,No. of Pins:6Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.1340
  • 3000:$0.1330
  • 6000:$0.1260
  • 12000:$0.1120
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 69W7175		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-4A,Drain Source Voltage Vds:-12V,On Resistance Rds(on):0.072ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.5V,Threshold Voltage Vgs:400mV , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.6040
  • 25:$0.5300
  • 50:$0.4640
  • 100:$0.3870
  • 250:$0.3240
  • 500:$0.2720
  • 1000:$0.2320
  • 2500:$0.1890
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 781-SI1401EDH-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 10V Vgs SC70-6
RoHS: Compliant		1112
  • 1:$0.4300
  • 10:$0.3250
  • 100:$0.2420
  • 500:$0.1990
  • 1000:$0.1540
  • 3000:$0.1400
  • 6000:$0.1310
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 2335277		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CH, -12V, -4A, SOT-363
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.6810
  • 10:$0.5150
  • 100:$0.3840
  • 500:$0.3150
  • 1000:$0.2440
  • 3000:$0.2220
  • 6000:$0.2110
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 2459404		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.6810
  • 10:$0.5150
  • 100:$0.3840
  • 500:$0.3150
  • 1000:$0.2440
  • 3000:$0.2220
  • 6000:$0.2070
SI1401EDH-T1-GE3
DISTI # 2335277		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CH, -12V, -4A, SOT-363
RoHS: Compliant		0
  • 5:£0.2830
  • 25:£0.2710
  • 100:£0.1850
  • 250:£0.1690
  • 500:£0.1520
SI1401EDH-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 10V Vgs SC70-6
RoHS: Compliant		Americas - 36000
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    ESP32-D0WDQ6

    Mfr.#: ESP32-D0WDQ6

    OMO.#: OMO-ESP32-D0WDQ6

    		 RF System on a Chip - SoC SMD IC ESP32-D0WDQ6, Dual Core MCU, WiFi & Bluetooth
    SISH615ADN-T1-GE3

    Mfr.#: SISH615ADN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SISH615ADN-T1-GE3

    		 MOSFET -20V Vds; 12V Vgs PowerPAK 1212-8SH
    CRCW04020000Z0EDC

    Mfr.#: CRCW04020000Z0EDC

    OMO.#: OMO-CRCW04020000Z0EDC

    		 Thick Film Resistors - SMD 1/16watt 0ohm Commercial Use
    VL53L1CXV0FY/1

    Mfr.#: VL53L1CXV0FY/1

    OMO.#: OMO-VL53L1CXV0FY-1

    		 Proximity Sensors Long distance ranging Time-of-Flight sensor based on ST FlightSense technology
    ESP32-D0WDQ6

    Mfr.#: ESP32-D0WDQ6

    OMO.#: OMO-ESP32-D0WDQ6-ESPRESSIF-SYSTEMS

    		 RF Module (Alt: ESP32-D0WDQ6)
    DRV8873HPWPRQ1

    Mfr.#: DRV8873HPWPRQ1

    OMO.#: OMO-DRV8873HPWPRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 BRUSHED DC MOTOR DRIVER
    CRCW040210K0FKEDC

    Mfr.#: CRCW040210K0FKEDC

    OMO.#: OMO-CRCW040210K0FKEDC-VISHAY-DALE

    		 D10/CRCW0402-C 100 10K 1% ET7
    CRCW0402100RFKEDC

    Mfr.#: CRCW0402100RFKEDC

    OMO.#: OMO-CRCW0402100RFKEDC-VISHAY-DALE

    		 D10/CRCW0402-C 100 100R 1% ET7
    CRCW04024K70FKEDC

    Mfr.#: CRCW04024K70FKEDC

    OMO.#: OMO-CRCW04024K70FKEDC-VISHAY-DALE

    		 D10/CRCW0402-C 100 4K7 1% ET7
    SISH615ADN-T1-GE3

    Mfr.#: SISH615ADN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SISH615ADN-T1-GE3-VISHAY

    		 P-Channel 20 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH 1G , 4.4 m @ 10V m @ 7.5V 6 m @ 4.5V
    Қол жетімділік
    Қор:
    29
    Тапсырыс бойынша:
    2012
    Саны енгізіңіз:
    SI1401EDH-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,42 $
    0,42 $
    10
    0,32 $
    3,24 $
    100
    0,24 $
    24,10 $
    500
    0,20 $
    99,00 $
    1000
    0,15 $
    153,00 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top