SH8M11TB1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V, 2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

1.9 nC, 4.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

3 ns, 12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns, 18 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns, 35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4 ns, 9 ns

Tags

SH8M11T, SH8M11, SH8M1, SH8M, SH8