2N3419

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-5-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

80 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

125 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

8 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

250 mV

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

3 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

60 at 1 A, 2 V

Қаптама:

Жаппай

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

20 at 1 A, 2 V

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

2N341, 2N34, 2N3