ZXMHC3F381N8TC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

4 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.98 A, 4.13 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

33 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

9 nC, 12.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.87 W

Конфигурация:

Төрт

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

ZXMHC3

Транзистор түрі:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Түрі:

H-көпірі

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

11.8 S, 14 S

Күз уақыты:

6.3 ns, 21 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.3 ns, 3 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11.5 ns, 30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.5 ns, 1.9 ns

Бірлік салмағы:

0.009171 oz

Tags

ZXMHC3F, ZXMHC3, ZXMHC, ZXMH, ZXM