IRLHS6376TR2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

63 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

12 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

2.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

6.6 W

Конфигурация:

Қосарлы

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

2 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

8.8 S

Күз уақыты:

9.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11 nS

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.4 nS

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001550442

Бірлік салмағы:

0.017637 oz

Tags

IRLHS6376T, IRLHS637, IRLHS63, IRLHS6, IRLHS, IRLH, IRL