SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5517DU-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI5517DU-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - массивтер
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI5517DU-GE3
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR ChipFET Dual
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
2 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR ChipFet Dual
Конфигурация
1 N-Channel 1 P-Channel
FET түрі
N және P-арнасы
Қуат – Макс
8.3W
Транзистор түрі
1 N-Channel 1 P-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
20V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
520pF @ 10V
FET мүмкіндігі
Логикалық деңгей қақпасы
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
16nC @ 8V
Pd-қуат-диссипация
2.3 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
10 ns 55 ns
Көтерілу уақыты
65 ns 35 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
8 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
7.2 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
32 mOhms 60 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна P-арнасы
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
40 ns 40 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
20 ns 8 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI5517, SI551, SI55, SI5
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***Components
On a Reel of 3000, Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.7 A, 7.2 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5517DU-T1-GE3
***ure Electronics
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
***ied Electronics & Automation
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6
***i-Key
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Package/Case:PowerPAK ChipFET Dual; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C ;RoHS Compliant: Yes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # V36:1790_09216229
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
RoHS: Compliant
3000
  • 3000:$0.4654
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216229
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
RoHS: Compliant
10
  • 10:$0.7040
  • 1:$0.9199
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # SI5517DU-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
5739In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # SI5517DU-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
5739In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # SI5517DU-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
3000In Stock
  • 3000:$0.5236
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # 30306435
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
RoHS: Compliant
3000
  • 3000:$0.4654
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # SI5517DU-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R (Alt: SI5517DU-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel
Asia - 0
  • 3000:$0.4282
  • 6000:$0.3294
  • 9000:$0.2621
  • 15000:$0.2215
  • 30000:$0.2039
  • 75000:$0.1976
  • 150000:$0.1917
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # SI5517DU-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5517DU-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.4939
  • 6000:$0.4799
  • 12000:$0.4599
  • 18000:$0.4469
  • 30000:$0.4349
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # SI5517DU-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R (Alt: SI5517DU-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 3000:€0.8369
  • 6000:€0.6009
  • 12000:€0.4869
  • 18000:€0.4309
  • 30000:€0.4119
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # 16P3788
Vishay IntertechnologiesDUAL N/P CH MOSFET, 20V, POWERPAK, FULL REEL,Transistor Polarity:N and P Channel,Continuous Drain Current Id:7.2A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):32mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:8V,Threshold Voltage Vgs:1V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.4770
  • 3000:$0.4740
  • 6000:$0.4510
  • 12000:$0.4000
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # 09X6441
Vishay IntertechnologiesMOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 6A, POWERPAK-8,Transistor Polarity:N and P Channel,Continuous Drain Current Id:6A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.032ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:1V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.9320
  • 10:$0.9030
  • 100:$0.7120
  • 250:$0.6770
  • 500:$0.6320
  • 1000:$0.5060
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # 70616987
Vishay SiliconixTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6
RoHS: Compliant
0
  • 300:$0.7700
  • 600:$0.6500
  • 1500:$0.5700
  • 3000:$0.5400
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # 781-SI5517DU-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
RoHS: Compliant
3065
  • 1:$1.1900
  • 10:$0.9800
  • 100:$0.7520
  • 500:$0.6470
  • 1000:$0.5100
  • 3000:$0.4760
SI5517DU-T1-GE3
DISTI # 8181334P
Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6, RL3160
  • 200:£0.2510
SI5517DUT1GE3Vishay Intertechnologies 
RoHS: Compliant
Europe - 6000
    SI5517DU-T1-GE3
    DISTI # C1S803601298171
    Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
    RoHS: Compliant
    3000
    • 3000:$0.4654
    SI5517DU-T1-GE3
    DISTI # C1S806001096569
    Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
    RoHS: Compliant
    10
    • 10:$0.7967
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI5517DU-T1-GE3

    Mfr.#: SI5517DU-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI5517DU-T1-GE3

    MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
    SI5517DU-T1-E3

    Mfr.#: SI5517DU-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI5517DU-T1-E3-VISHAY

    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
    SI5517DU-T1-GE3

    Mfr.#: SI5517DU-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI5517DU-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
    SI5517DU-T1-GE3DKR-ND

    Mfr.#: SI5517DU-T1-GE3DKR-ND

    OMO.#: OMO-SI5517DU-T1-GE3DKR-ND-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    3500
    Саны енгізіңіз:
    SI5517DU-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,64 $
    0,64 $
    10
    0,60 $
    6,03 $
    100
    0,57 $
    57,15 $
    500
    0,54 $
    269,85 $
    1000
    0,51 $
    508,00 $
    -ден бастаңыз
    Top