OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

C3M0120100J

C3M0120100J
Mfr. #:
C3M0120100J
Өндіруші:
N/A
Сипаттама:
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
C3M0120100J Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
C3M0120100J Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Cree, Inc.
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
SiC
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TO-263-7
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
1 kV
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
22 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
120 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
1.8 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
15 V, - 4 V
Qg - қақпа заряды:
21.5 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
83 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Түтік
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
Wolfspeed / Cree
Форвард өткізгіштік - Мин:
7.7 S
Күз уақыты:
8 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
8 ns
Зауыттық буманың саны:
50
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
14 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
7 ns
Бірлік салмағы:
0.077603 oz
Tags
C3M01, C3M0, C3M
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7 + Tab-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0120100J
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 22A, TO-263;
***ark
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CA-N, 1KV, 22A, TO-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:22A; Tensione Drain Source Vds:1kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.12ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):15V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:7Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:C3M Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)
C3M0120100J SiC Power MOSFET
Wolfspeed C3M0120100J SiC Power MOSFET reduces switching loss and minimizes gate ringing. This MOSFET increases system switching frequency and is suitable for fast switching devices. The C3M0120100J MOSFET includes typical turn-off delay time 14ns and turn-on delay time 7ns. This MOSFET operates at a temperature range from -55ºC to 150ºC. The C3M0120100J SiC MOSFET offers continuous drain current (Id) of 22A, VDS of 1000V, 120mΩ RDS(on), and 21.5nC Qg. This MOSFET incorporates high system efficiency, reduced cooling requirements, and increase power density.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
C3M0120100J
DISTI # V99:2348_17082086		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES900
  • 1:$9.6899
C3M0120100J
DISTI # V36:1790_17082086		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES0
  • 1000000:$6.2120
  • 500000:$6.2150
  • 100000:$6.6400
  • 10000:$7.4560
  • 1000:$7.5960
C3M0120100J
DISTI # C3M0120100J-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		680In Stock
  • 100:$8.7248
  • 1:$8.7500
C3M0120100J
DISTI # 32035291		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES900
  • 1:$9.6899
C3M0120100J
DISTI # 941-C3M0120100J		Cree, Inc.MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
RoHS: Compliant		777
  • 1:$8.7500
  • 100:$8.4100
  • 500:$8.0000
C3M0120100J
DISTI # 1503947		Cree, Inc.MOSFET N-CH 1000V 22A C3M SIC TO-263-7, TU382
  • 250:£6.0410
  • 150:£6.1640
  • 50:£6.4600
C3M0120100J
DISTI # 1503965		Cree, Inc.MOSFET N-CH 1000V 22A C3M SIC TO-263-7, EA196
  • 40:£6.3800
  • 20:£6.5100
  • 10:£6.6400
  • 1:£6.7800
C3M0120100J
DISTI # C3M0120100J		WolfspeedSILICON CARBIDE MOSFETS
RoHS: Compliant		970
  • 1:$7.5700
  • 11:$7.3400
  • 51:$7.0300
C3M0120100J
DISTI # 2749949		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-263
RoHS: Compliant		0
  • 1:$14.6000
Сурет Бөлім № Сипаттама
UCC21520DWR

Mfr.#: UCC21520DWR

OMO.#: OMO-UCC21520DWR

 Gate Drivers 4A/6A, 5KVrms Dual Isolated-channel Univ
MMBT3906-7-F

Mfr.#: MMBT3906-7-F

OMO.#: OMO-MMBT3906-7-F

 Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
CD-MBL206SL

Mfr.#: CD-MBL206SL

OMO.#: OMO-CD-MBL206SL

 Bridge Rectifiers VRRM 600V 2A SMD MBLS Brdge Rectifier
IPN70R360P7SATMA1

Mfr.#: IPN70R360P7SATMA1

OMO.#: OMO-IPN70R360P7SATMA1

 MOSFET CONSUMER
SBR3U40P1-7

Mfr.#: SBR3U40P1-7

OMO.#: OMO-SBR3U40P1-7

 Schottky Diodes & Rectifiers POWERDI 123 3A 40V ULTRALOW VF
SD0603S040S0R2

Mfr.#: SD0603S040S0R2

OMO.#: OMO-SD0603S040S0R2

 Schottky Diodes & Rectifiers 40volts 0.2A SIZE 0603
MC78L05ACDR2G

Mfr.#: MC78L05ACDR2G

OMO.#: OMO-MC78L05ACDR2G

 Linear Voltage Regulators 5V 100mA Positive
IFX25001MEV33HTSA1

Mfr.#: IFX25001MEV33HTSA1

OMO.#: OMO-IFX25001MEV33HTSA1

 LDO Voltage Regulators Low Dropout Voltage Regulator
C3M0065100J

Mfr.#: C3M0065100J

OMO.#: OMO-C3M0065100J

 MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
IFX25001MEV33HTSA1

Mfr.#: IFX25001MEV33HTSA1

OMO.#: OMO-IFX25001MEV33HTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IC REG LIN 3.3V 400MA SOT223-4
Қол жетімділік
Қор:
725
Тапсырыс бойынша:
2708
Саны енгізіңіз:
C3M0120100J ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
8,75 $
8,75 $
100
8,41 $
841,00 $
500
8,00 $
4 000,00 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Top