ZXMN2B03E6TA

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-26-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

40 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

14.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.3 mm

Ұзындығы:

3.1 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

ZXMN2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.8 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

6.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.2 ns

Бірлік салмағы:

0.000529 oz

Tags

ZXMN2B03, ZXMN2B0, ZXMN2B, ZXMN2, ZXMN, ZXM