OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7852DP-T1-E3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI7852DP-T1-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
ВИШАЙ
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI7852DP-E3
Бірлік-салмағы
0.017870 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR SO-8
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR SO-8
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
1.9W
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
80V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
-
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
7.6A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA (Min)
Gate-Charge-Qg-Vgs
41nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
1.9 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
11 ns
Көтерілу уақыты
11 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
7.6 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
80 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
16.5 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
40 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
17 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI7852DP-T1, SI7852DP-T, SI7852D, SI7852, SI785, SI78, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 80 V 16.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ied Electronics & Automation
TRANS MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-PIN POWERPAK SO T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
***ser
N-Channel MOSFETs 80V 12.5A 5.2W
***
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOS
***ponent Electronics
IC SMT ON TAPE
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:80V; Continuous Drain Current, Id:12.5A; On Resistance, Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,80V,7.6A,PPSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.5A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:1.9W; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; Current Id Max:7.6A; Package / Case:PowerPAK SO-8; Power Dissipation Pd:1.9W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
***nell
MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:80V; Current, Id Cont:7.6A; Resistance, Rds On:10.9ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:50A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:41nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.9W; Power, Pd:1.9W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.0165ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25K; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Voltage, Vds Max:80V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Min:2V; Width, External:6.2mm; Width, Tape:12mm
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI7852DP-T1-E3
DISTI # SI7852DP-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		On Order
  • 1000:$1.0616
  • 500:$1.2813
  • 100:$1.6474
  • 10:$2.0500
  • 1:$2.2700
SI7852DP-T1-E3
DISTI # SI7852DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7852DP-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 12000
  • 3000:$1.1369
  • 6000:$1.1029
  • 12000:$1.0589
  • 18000:$1.0289
  • 30000:$1.0019
SI7852DP-T1-E3
DISTI # SI7852DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7852DP-T1-E3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SI7852DP-T1-E3
    DISTI # 06J8172    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 06J8172)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Ammo Pack    		Americas - 0
    • 1:$3.6700
    • 25:$3.0500
    • 50:$2.7100
    • 100:$2.3600
    • 250:$2.2200
    • 500:$2.0800
    • 1000:$1.7200
    SI7852DP-T1-E3
    DISTI # 29X0550    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 80V, 7.6A, POWERPAK SO-8, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:7.6A,Drain Source Voltage Vds:80V,On Resistance Rds(on):0.0135ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$1.5700
    • 3000:$1.5600
    • 6000:$1.4900
    • 12000:$1.3200
    SI7852DP-T1-E3
    DISTI # 06J8172    		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 80V, 12.5A, SOIC,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:7.6A,Drain Source Voltage Vds:80V,On Resistance Rds(on):0.0135ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V , RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$3.0600
    • 25:$2.5400
    • 50:$2.2600
    • 100:$1.9700
    • 250:$1.8500
    • 500:$1.7300
    • 1000:$1.4300
    SI7852DP-T1-E3
    DISTI # 70026416    		Vishay SiliconixTRANS MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-PIN POWERPAK SO T/R
    RoHS: Compliant    		0
    • 3000:$1.4600
    SI7852DP-T1-E3
    DISTI # 781-SI7852DP-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$3.0600
    • 10:$2.5400
    • 100:$1.9700
    • 500:$1.7300
    • 1000:$1.4300
    • 3000:$1.3300
    • 6000:$1.2800
    SI7852DP-T1
    DISTI # 781-SI7852DP    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
    RoHS: Not compliant    		0
      SI7852DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET Transistor, N-Channel, LLCC8
      • 2:$2.8500
      • 1:$3.8000
      SI7852DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET Transistor, N-Channel, LLCC4
      • 3:$1.9600
      • 1:$2.4500
      SI7852DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesINSTOCK400
        SI7852DP-T1-E3
        DISTI # 1470137        		Vishay IntertechnologiesMOSFET,N CH,80V,7.6A,PPSO8
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:£2.0200
        • 10:£1.6200
        • 100:£1.2900
        • 250:£1.1500
        • 500:£1.0100
        SI7852DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Americas -
          SI7852DP-T1-E3
          DISTI # 1470137          		Vishay IntertechnologiesMOSFET,N CH,80V,7.6A,PPSO8
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$3.7100
          • 10:$3.3500
          • 100:$2.6900
          • 500:$2.0900
          • 1000:$1.7400
          SI7852DP-T1-E3
          DISTI # 1470137RL          		Vishay IntertechnologiesMOSFET,N CH,80V,7.6A,PPSO8
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$3.7100
          • 10:$3.3500
          • 100:$2.6900
          • 500:$2.0900
          • 1000:$1.7400
          Сурет Бөлім № Сипаттама
          SI7852DP-T1-E3

          Mfr.#: SI7852DP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7852DP-T1-E3

          		 MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
          SI7852DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7852DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7852DP-T1-GE3

          		 MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
          SI7852DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7852DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7852DP-T1-GE3-VISHAY

          		 RF Bipolar Transistors MOSFET 80V 12.5A 5.2W 16.5mohm @ 10V
          SI7852DP

          Mfr.#: SI7852DP

          OMO.#: OMO-SI7852DP-1190

          		 Жаңа және түпнұсқа
          SI7852DP-T1

          Mfr.#: SI7852DP-T1

          OMO.#: OMO-SI7852DP-T1-1190

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7852DP-E3
          SI7852DP-T1-E3

          Mfr.#: SI7852DP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7852DP-T1-E3-VISHAY

          		 MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
          SI7852DP-T1-E3.

          Mfr.#: SI7852DP-T1-E3.

          OMO.#: OMO-SI7852DP-T1-E3--1190

          		 Жаңа және түпнұсқа
          SI7852DP-TI-E3

          Mfr.#: SI7852DP-TI-E3

          OMO.#: OMO-SI7852DP-TI-E3-1190

          		 Жаңа және түпнұсқа
          SI7852DPT1

          Mfr.#: SI7852DPT1

          OMO.#: OMO-SI7852DPT1-1190

          		 Жаңа және түпнұсқа
          Қол жетімділік
          Қор:
          Available
          Тапсырыс бойынша:
          2000
          Саны енгізіңіз:
          SI7852DP-T1-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
          Анықтамалық баға (USD)
          Саны
          Тауар өлшемінің бағасы
          Қосымша. Бағасы
          1
          1,55 $
          1,55 $
          10
          1,47 $
          14,72 $
          100
          1,40 $
          139,50 $
          500
          1,32 $
          658,75 $
          1000
          1,24 $
          1 240,00 $
          -ден бастаңыз
          Top