IPD650P06NMATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

- 60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

- 22 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

65 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

83 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

IPD06P003

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

21 S

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPD650P06NM SP004987256

Tags

IPD65, IPD6, IPD