TK12P60W,RVQ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

340 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

25 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

100 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

DTMOSIV

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

TK12P60W

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

5.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

23 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

TK12P60, TK12P, TK12, TK1