DMN2011UFX-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

V-DFN2050-4

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

56 nC, 56 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN2011

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

13.5 ns, 13.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.6 ns, 2.6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

21.6 ns, 21.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.6 ns, 3.6 ns

Tags

DMN2011UF, DMN2011, DMN201, DMN20, DMN2, DMN