CSD17307Q5A

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSONP-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

73 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

900 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

6 mm

Серия:

CSD17307Q5A

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.9 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

66 S

Әзірлеу жинағы:

TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM

Күз уақыты:

2.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.7 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.6 ns

Бірлік салмағы:

0.003527 oz

Tags

CSD1730, CSD173, CSD17, CSD1, CSD