STD2HNK60Z-1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.75 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

11 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

45 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SuperMESH

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

6.2 mm

Ұзындығы:

6.6 mm

Серия:

STD2HNK60Z-1

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.4 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.5 S

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STD2HNK60Z-1, STD2H, STD2, STD