NESG2030M04-T2-A

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

CEL

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық

Технология:

SiGe

Транзистордың полярлығы:

NPN

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

1.2 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

0.035 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-343

Қаптама:

Ролик

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

8 V

Тұрақты ток күші hFE макс:

200 at 5 mA at 2 V

Жұмыс жиілігі:

60000 MHz

Түрі:

РФ кремний германиясы

Бренд:

CEL

Pd - қуаттың шығыны:

80 mW

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

NESG2030M04-T, NESG2030, NESG203, NESG20, NESG2, NESG, NES