T2N7002AK,LM

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

0.27 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

T2N7002

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Toshiba

Форвард өткізгіштік - Мин:

450 mS

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2 ns

Бірлік салмағы:

0.001340 oz

Tags

T2N7002AK,L, T2N7002A, T2N7, T2N