BFU725F/N1,115

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

NXP

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық

Технология:

Си

Транзистордың полярлығы:

NPN

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

40

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

2.8 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

0.55 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

40 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-343

Қаптама:

Ролик

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

10 V

Тұрақты ток күші hFE макс:

160 at 10 mA at 2 V

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.2 mm

Жұмыс жиілігі:

55 GHz

Түрі:

РЖ биполярлық шағын сигнал

Ені:

1.35 mm

Бренд:

NXP жартылай өткізгіштері

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

55000 MHz

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

0.04 A

Pd - қуаттың шығыны:

136 mW

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бөлім # Бүркеншік аттар:

934063513115

Бірлік салмағы:

0.000235 oz

Tags

BFU725F/N1,1, BFU725F/N, BFU725F, BFU72, BFU7, BFU