BSC066N06NS

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-TDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

64 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

17 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

46 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Серия:

OptiMOS 5

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

32 S

Күз уақыты:

3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC066N06NSATMA1 SP001067000

Бірлік салмағы:

0.003527 oz

Tags

BSC066, BSC06, BSC0, BSC