TPN4R303NL,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSON-Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

63 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

14.8 nC

Pd - қуаттың шығыны:

34 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.85 mm

Ұзындығы:

3.1 mm

Серия:

TPN4R303NL

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.1 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.5 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10.5 ns

Tags

TPN4R3, TPN4, TPN