SIA467EDJ-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SC70-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

31 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

72 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 50 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

19 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Серия:

SIA

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

31 S

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Tags

SIA46, SIA4, SIA