IMW120R045M1XKSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

52 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

59 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 10 V, 20 V

Qg - қақпа заряды:

52 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

228 W

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

IMW120R045

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

11.1 S

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

24 ns

Зауыттық буманың саны:

240

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IMW120R045M1 SP001346254

Tags

IMW120R0, IMW12, IMW1, IMW