STU10N60M2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

560 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

13.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

85 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Түтік

Серия:

STU10N60M2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

13.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8.8 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STU10N, STU10, STU1, STU