OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1
Mfr. #:
SI8409DB-T1-E1
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI8409DB-T1-E1 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI8409DB-T1-E1 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
IC чиптері
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI8409DB-E1
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Сауда атауы
TrenchFET/МИКРО ТАҢ
Пакет-қорап
4-XFBGA, CSPBGA
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
4-Microfoot
Конфигурация
Жалғыз қосарлы ағызу
FET түрі
MOSFET P-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
1.47W
Транзистор түрі
1 P-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
30V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
-
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
4.6A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
46 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.4V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
26nC @ 4.5V
Pd-қуат-диссипация
1.47 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
35 ns
Көтерілу уақыты
35 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
12 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
- 3.6 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
- 30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
1.052 Ohms
Транзистор-полярлық
P-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
140 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
20 ns
Qg-Gate-Заряд
17 nC
Форвард-өткізгіштік-мин
6.4 S
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI840, SI84, SI8
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single P-Channel 30 V 46 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
***ical
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
*** Source Electronics
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
***i-Key
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
***ark
P Ch Mosfet, -30V, 6.3A, Micro Foot; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:6.3A; On Resistance Rds(On):0.065Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:12V Rohs Compliant: No
MicroFoot® Power MOSFETs
Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The devices' low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent unwanted under-voltage lockout.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI8409DB-T1-E1
DISTI # V72:2272_09216553		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		4407
  • 3000:$0.4274
  • 1000:$0.4304
  • 500:$0.5504
  • 250:$0.6208
  • 100:$0.6226
  • 25:$0.7627
  • 10:$0.7658
  • 1:$0.8855
SI8409DB-T1-E1
DISTI # V36:1790_09216553		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.4304
SI8409DB-T1-E1
DISTI # SI8409DB-T1-E1CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		13394In Stock
  • 1000:$0.5438
  • 500:$0.6889
  • 100:$0.8883
  • 10:$1.1240
  • 1:$1.2700
SI8409DB-T1-E1
DISTI # SI8409DB-T1-E1DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		13394In Stock
  • 1000:$0.5438
  • 500:$0.6889
  • 100:$0.8883
  • 10:$1.1240
  • 1:$1.2700
SI8409DB-T1-E1
DISTI # SI8409DB-T1-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		12000In Stock
  • 3000:$0.4928
SI8409DB-T1-E1
DISTI # 27003823		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		4407
  • 3000:$0.4274
  • 1000:$0.4304
  • 500:$0.5504
  • 250:$0.6208
  • 100:$0.6226
  • 25:$0.7627
  • 16:$0.7658
SI8409DB-T1-E1
DISTI # 29546570		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.4867
SI8409DB-T1-E1
DISTI # 30743480		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.4304
SI8409DB-T1-E1
DISTI # SI8409DB-T1-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8409DB-T1-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.4649
  • 6000:$0.4509
  • 12000:$0.4329
  • 18000:$0.4209
  • 30000:$0.4099
SI8409DB-T1-E1
DISTI # 18X0030		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CHANNEL, -30V, -4.6A, MICRO FOOT-4,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-4.6A,Drain Source Voltage Vds:-30V,On Resistance Rds(on):0.038ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Power Dissipation Pd:1.47W, RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.1200
  • 10:$0.9220
  • 25:$0.8510
  • 50:$0.7790
  • 100:$0.7080
  • 500:$0.6090
  • 1000:$0.4800
SI8409DB-T1-E1
DISTI # 51K7013		Vishay IntertechnologiesP CH MOSFET, -30V, 6.3A, MICRO FOOT,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-6.3A,Drain Source Voltage Vds:-30V,On Resistance Rds(on):65mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:1.4V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.4480
  • 3000:$0.4480
SI8409DB-T1-E1.
DISTI # 30AC0210		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET , ROHS COMPLIANT: NO0
  • 1:$0.4480
  • 3000:$0.4480
SI8409DB-T1-E1Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 30 V 46 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
RoHS: Compliant		6000Reel
  • 3000:$0.4050
SI8409DB-T1-E1
DISTI # 781-SI8409DB-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
RoHS: Compliant		4620
  • 1:$1.1200
  • 10:$0.9220
  • 100:$0.7080
  • 500:$0.6090
  • 1000:$0.4800
  • 3000:$0.4480
SI8409DB-T1-E1Vishay Semiconductors4600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET2340
  • 2052:$0.3750
  • 445:$0.3900
  • 1:$1.5000
SI8409DB-T1-E1Vishay Siliconix 2925
  • 5:$1.1250
  • 19:$0.7313
  • 70:$0.4219
  • 239:$0.3600
  • 515:$0.3150
  • 1224:$0.2925
SI8409DB-T1-E1
DISTI # XSFP00000107897		Vishay Siliconix 
RoHS: Compliant		4038
  • 3000:$0.8100
  • 4038:$0.7364
SI8409DB-T1-E1
DISTI # C1S803601003786		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
RoHS: Compliant		4407
  • 250:$0.6193
  • 100:$0.6210
  • 25:$0.7598
  • 10:$0.7629
SI8409DB-T1-E1
DISTI # C1S803601906641		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.4299
SI8409DB-T1-E1Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
RoHS: Compliant		Americas - 6000
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI8409DB-T1-E1

    Mfr.#: SI8409DB-T1-E1

    OMO.#: OMO-SI8409DB-T1-E1

    		 MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
    SI8409DB-T1-E1

    Mfr.#: SI8409DB-T1-E1

    OMO.#: OMO-SI8409DB-T1-E1-VISHAY

    		 MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    1500
    Саны енгізіңіз:
    SI8409DB-T1-E1 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,44 $
    0,44 $
    10
    0,42 $
    4,17 $
    100
    0,39 $
    39,49 $
    500
    0,37 $
    186,45 $
    1000
    0,35 $
    351,00 $
    -ден бастаңыз
    Top