IRFL024ZPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

57.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

9.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.6 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

3.5 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.2 S

Күз уақыты:

23 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

21 ns

Зауыттық буманың саны:

80

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001554888

Бірлік салмағы:

0.003951 oz

Tags

IRFL024Z, IRFL02, IRFL0, IRFL, IRF