TK2Q60D(Q)

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

PW-Mold2-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

60 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

7 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

TK2Q60D

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.3 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

200

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

TK2Q, TK2