STF11NM80

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

400 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

35 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.3 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STF11NM80

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 S

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

46 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Бірлік салмағы:

0.071959 oz

Tags

STF11NM8, STF11NM, STF11N, STF11, STF1, STF