ALD1115PAL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Жетілдірілген сызықтық құрылғылар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

PDIP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

10 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.8 mA, 2 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

350 Ohms, 1.2 kOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10.6 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

0 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 70 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

ALD1115P

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Түрі:

MOSFET

Бренд:

Жетілдірілген сызықтық құрылғылар

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Бірлік салмағы:

0.032805 oz

Tags

ALD1115, ALD111, ALD11, ALD1, ALD