APT80GA60LD40

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

TO-264-3

Орнату стилі:

SMD/SMT

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

600 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

2 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

30 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

143 A

Pd - қуаттың шығыны:

625 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

143 A

Биіктігі:

5.21 mm

Ұзындығы:

26.49 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 150 C

Ені:

20.5 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

143 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

IGBT

Сауда атауы:

POWER MOS 8

Бірлік салмағы:

0.373904 oz

Tags

APT80GA, APT80G, APT80, APT8, APT