SI4599DY-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.8 A, 6.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

35.5 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V, 1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

11.7 nC, 25 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3 W, 3.1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

SI4

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

14 S, 22 S

Күз уақыты:

9 ns, 9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns, 12 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns, 30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI4599DY-GE3

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

SI4599, SI459, SI45, SI4