ZXMN3A04DN8TC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

30 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

6.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.1 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

38.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.2 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMN3A04DN, ZXMN3A04D, ZXMN3A04, ZXMN3A0, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM