TK8A65W,S5X

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220FP-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

530 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

16 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

30 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

DTMOSIV

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

TK8A65W

Ені:

4.5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

60 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

TK8A65W, TK8A65, TK8A6, TK8A, TK8