SIB456DK-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SC75-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

153 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

13 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Серия:

SIB

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.7 S

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

45 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.003386 oz

Tags

SIB45, SIB4, SIB