BLV57

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Advanced Semiconductor, Inc.

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық қуат

Технология:

Си

Транзистордың полярлығы:

NPN

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

15

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

27 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

3.5 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

2 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SOT-161A

Қаптама:

Науа

Жұмыс жиілігі:

860 MHz

Түрі:

РЖ биполярлық қуаты

Бренд:

Advanced Semiconductor, Inc.

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

4 A

Pd - қуаттың шығыны:

77 W

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

BLV5, BLV