NJVMJD50T4G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DPAK-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

400 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

500 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

2 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

10 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

MJD50

Тұрақты ток күші hFE макс:

150 at 300 mA, 10 V

Қаптама:

Ролик

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

25 at 200 mA, 10 V

Pd - қуаттың шығыны:

15 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Біліктілік:

AEC-Q101

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

NJVMJD, NJVM, NJV