R5011FNJTL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

400 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

30 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

50 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

R5011FNJ

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.5 S

Күз уақыты:

30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

28 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

75 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

R5011FNJ

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

R5011F, R5011, R501, R50