Jan2N5582/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-46-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

50 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

75 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

6 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

800 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

300 at 150 mA, 10 V

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

30 at 500 mA, 10 V

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jan2N55, Jan2N5, Jan2N, Jan2, JAN