DMN6075S-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

12.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.15 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET жақсарту режимі

Серия:

DMN60

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET жақсарту режимі

Ені:

1.4 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

11 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.1 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.5 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

DMN6075, DMN607, DMN60, DMN6, DMN