NP100P04PDG-E1-AY

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Renesas Electronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.5 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1800 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.45 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

9.15 mm

Бренд:

Renesas Electronics

Күз уақыты:

100 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

300 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

38 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

NP100P04P, NP100P04, NP100P, NP100, NP10, NP1