SI4403CDY-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

13.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

15.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

60 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

SI4

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

40 S

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

101 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SI4403C, SI4403, Si440, SI44, SI4