SQ1539EH-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

850 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

210 mOhms, 788 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V, 2.6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

1.4 nC, 1.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.1 mm

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.2 S, 0.6 S

Күз уақыты:

32 ns, 17 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns, 39 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns, 10 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns, 4 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SQ15, SQ1