SI7434DP-T1-GE3

SI7434DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7434DP-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
IGBT Transistors MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI7434DP-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI7434DP-GE3
Бірлік-салмағы
0.017870 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR SO-8
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR SO-8
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
1.9W
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
250V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
-
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
2.3A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
155 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
50nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
1.9 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
23 ns
Көтерілу уақыты
23 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
2.3 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
250 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
155 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
47 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
16 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI7434, SI743, SI74, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
COMPLEMENTARY MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:250V; Continuous Drain Current, Id:3.8A; On Resistance, Rds(on):0.162ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:6V ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,DIODE,250V,3.8A,SO8 PPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.129ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.8A; Power Dissipation Pd:5.2W; Voltage Vgs Max:20V
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216354
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
RoHS: Compliant
3099
  • 3000:$1.4910
  • 1000:$1.5220
  • 500:$1.6900
  • 250:$1.8150
  • 100:$1.9320
  • 25:$2.1629
  • 10:$2.1750
  • 1:$2.4129
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # SI7434DP-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
7731In Stock
  • 1000:$1.5296
  • 500:$1.8461
  • 100:$2.3736
  • 10:$2.9540
  • 1:$3.2700
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # SI7434DP-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
7731In Stock
  • 1000:$1.5296
  • 500:$1.8461
  • 100:$2.3736
  • 10:$2.9540
  • 1:$3.2700
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # SI7434DP-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
6000In Stock
  • 3000:$1.3827
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # 25790042
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
RoHS: Compliant
3099
  • 3000:$1.4900
  • 1000:$1.5209
  • 500:$1.6870
  • 250:$1.8120
  • 100:$1.9270
  • 25:$2.1570
  • 10:$2.1680
  • 5:$2.4040
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # SI7434DP-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7434DP-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$1.2900
  • 6000:$1.2900
  • 12000:$1.2900
  • 18000:$1.2900
  • 30000:$1.2900
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # 26R1922
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 26R1922)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1
Container: Ammo Pack
Americas - 0
  • 1:$1.7900
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # 15R5190
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC,Continuous Drain Current Id:3.8A,Drain Source Voltage Vds:250V,No. of Pins:8,On Resistance Rds(on):162mohm,Operating Temperature Range:-55°C to +150°C,Package / Case:8-SOIC RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.9500
  • 2000:$1.8600
  • 4000:$1.7400
  • 8000:$1.6200
  • 12000:$1.5500
  • 20000:$1.5300
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # 26R1922
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:3.8A,Drain Source Voltage Vds:250V,On Resistance Rds(on):0.129ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:6V,Threshold Voltage Vgs:4V RoHS Compliant: Yes20
  • 1:$3.5800
  • 25:$2.9600
  • 50:$2.7100
  • 100:$2.4500
  • 250:$2.3600
  • 500:$2.1200
  • 1000:$1.7900
SI7434DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7434DP-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RoHS: Compliant
1700
  • 1:$2.9800
  • 10:$2.4700
  • 100:$2.0400
  • 250:$1.9700
  • 500:$1.7700
  • 1000:$1.4900
  • 3000:$1.4200
SI7434DPT1GE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant
Europe - 3000
    SI7434DP-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2333
      SI7434DP-T1-GE3Vishay Intertechnologies 273
        SI7434DP-T1-GE3
        DISTI # C1S803604026283
        Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
        RoHS: Compliant
        3099
        • 250:$1.8120
        • 100:$1.9270
        • 25:$2.1570
        • 10:$2.1680
        • 1:$2.4040
        SI7434DP-T1-GE3
        DISTI # 2132253
        Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC
        RoHS: Compliant
        20
        • 1:£3.1500
        • 25:£2.6000
        • 50:£2.3900
        • 100:£2.1500
        • 250:£2.0700
        SI7434DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Americas -
          SI7434DP-T1-GE3
          DISTI # 2132253
          Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC
          RoHS: Compliant
          20
          • 3000:$4.2400
          • 6000:$3.7000
          Сурет Бөлім № Сипаттама
          SI7434DP-T1-E3

          Mfr.#: SI7434DP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7434DP-T1-E3

          MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
          SI7434DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7434DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7434DP-T1-GE3

          MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
          SI7434DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7434DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7434DP-T1-GE3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V
          SI7434DP-T1-E3

          Mfr.#: SI7434DP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7434DP-T1-E3-VISHAY

          MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
          Қол жетімділік
          Қор:
          Available
          Тапсырыс бойынша:
          1000
          Саны енгізіңіз:
          SI7434DP-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
          Анықтамалық баға (USD)
          Саны
          Тауар өлшемінің бағасы
          Қосымша. Бағасы
          1
          1,94 $
          1,94 $
          10
          1,84 $
          18,38 $
          100
          1,74 $
          174,15 $
          500
          1,64 $
          822,40 $
          1000
          1,55 $
          1 548,00 $
          -ден бастаңыз
          Top