BSC059N03S G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

17.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.5 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

3.8 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.8 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC059N03SGXT

Tags

BSC059N03SG, BSC059N03S, BSC059N03, BSC059N0, BSC059, BSC05, BSC0, BSC