BSO615C G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.1 A, 2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

70 mOhms, 190 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V, 2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

22.5 nC, 20 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SIPMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

BSO615

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.25 S, 1.2 S

Күз уақыты:

18 ns, 90 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

75 ns, 105 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns, 125 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns, 24 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

BSO615CG, BSO615C, BSO615, BSO61, BSO6, BSO