DMN10H220LE-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

220 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

3.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8.2 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.8 ns

Бірлік салмағы:

0.009171 oz

Tags

DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN